Dispositivi multifunzionali ad effetto di campo: transistor organici emettitori di luce
24 10 2007Michele Muccini
CNR-ISMN, Consiglio Nazionale delle Ricerche
Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati, Bologna.
“Dispositivi multifunzionali ad effetto di campo: transistor organici emettitori di luce”
Abstract:
I transistor ad effetto di campo stanno emergendo come dispositivi utili per un’ efficiente generazione di luce da una varietà di materiali, inclusi i semiconduttori inorganici, i nanotubi di carbonio e i film sottili organici. I transistor organici ad effetto di campo emettitori di luce (OLET) sono una nuova classe di dispositivi elettro-ottici [1] che potrebbero consentire di comprendere più approfonditamente fenomeni di base dell’optoelettronica organica come l’iniezione di carica, la ricombinazione di carica e l’emissione di luce. Questi dispositivi possono trovare potenziali applicazioni in sistemi per la comunicazione ottica, nella tecnologia display avanzata, nell’illuminazione a stato solido, nei laser organici pompati elettricamente e nei sensori. Il meccanismo di funzionamento dei transistor emettitori di luce basati su film sottili organici verrà discusso e confrontato con quanto avviene nella ben nota architettura verticale degli OLED. Le proprietà fondamentali dei materiali quali la mobilità ad effetto di campo, l’efficienza di emissione e le condizioni di crescita determinano sia le caratteristiche che le prestazioni del dispositivo finale. I recenti avanzamenti e le prospettive future degli OLETs sono analizzate ponendo particolare enfasi sui semiconduttori organici e sul ruolo giocato dalla struttura dello strato attivo [2] e dalle proprietà dei materiali [3] nel determinare la risposta dei dispositivi.
[1] M. Muccini, A bright future for organic field-effect transistors NATURE MATERIALS 5 (2006) 605
[2] M.A. Loi, et al., Supramolecular organization in ultra-thin films of a-sexithiophene on silicon dioxide NATURE MATERIALS 4 (2005) 81
[3] E. Da Como, et al., J-Aggregation in a-sexithiophene submonolayer films on silicon dioxide
JOURNAL OF THE AMERICAL CHEMICAL SOCIETY 128 (2006) 4277
Mercoledì 31 ottobre 2007 alle ore 15.00
Aula n. 21
R. Checchetto
P. Faccioli
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